美光完成台湾铜锣厂收购，宣布启动第二晶圆厂建设：全球HBM内存产能军备竞赛升温

2026年3月15日 · WaymoChang

核心摘要

美光科技宣布已完成对力积电（PSMC）铜锣P5厂区的收购，并将在2026财年末前开工建设同等规模的第二晶圆厂，新增约27万平方英尺洁净室空间。该厂区将专注于HBM等AI导向的前沿DRAM产品，预计2028财年起产出实质性出货量。这是AI驱动下全球内存产能争夺战的最新节点。

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美光科技（Nasdaq: MU）于2026年3月15日正式宣布两件事：

其一，已完成收购力积电（PSMC）位于台湾苗栗县铜锣乡的P5厂区——这一收购协议于2026年1月17日首次披露，历时约两个月完成交割。

其二，宣布在此厂区启动下一阶段扩建：计划于2026财年末前开始建设第二座同等规模的晶圆厂，新增约27万平方英尺（约2.5万平方米）的300mm洁净室空间。

现有铜锣厂区已有约30万平方英尺洁净室，两期合计将超过57万平方英尺，成为美光在台湾规模仅次于台中超大型校园（Mega Campus）的第二核心基地。

理解这笔投资的钥匙，在于HBM（高带宽内存）。

HBM是当前AI训练与推理芯片的标配内存架构——英伟达Blackwell、Hopper、AMD MI300X，以及下一代的Rubin，都需要大量HBM堆叠在GPU上。AI需求的爆发直接拉动了HBM需求的超线性增长。

美光明确表示，铜锣厂区的产品定位是前沿DRAM产品，包括HBM，支持应对AI驱动的增长需求。这是一个方向非常明确的产能扩张决策，而不是通用内存的机会性扩张。

在HBM市场，SK海力士长期占据主导地位（据估计供应英伟达HBM需求的50%以上），三星紧随其后，美光是第三名——但差距在迅速缩小。

美光2025年以来一直强调HBM3E良率提升和产能爬坡；在台湾新增一个专注先进DRAM的厂区，意味着美光在地理上进一步靠近台积电和封装生态（台中超大型校园到铜锣约24公里），有助于缩短供应链响应周期。

另一个背景是：台湾政府对此次收购提供了明确支持——包括经济部、国科会、新竹科学园区管理局及苗栗县政府。这意味着此次投资受到台湾产业政策的配合与加速。

2026年1月：美光宣布收购PSMC铜锣P5意向

2026年3月15日：完成交割，启动现有洁净室改造

2026财年末（约2026年8月）前：第二晶圆厂动工

2028财年起：现有厂区开始产出实质性出货量

这个时间表意味着：铜锣对美光短期财报（2026-2027）贡献有限，更多是面向2028年以后AI内存需求的中长期产能布局。

英伟达Vera Rubin（2026年下半年）、Vera Ultra（2027年）等下一代GPU平台将搭载更大容量、更高带宽的HBM4。同期AI推理规模持续扩大，数据中心运营商纷纷锁定长期供应。

在这个背景下，任何一家内存制造商错过这个产能窗口，都可能在2028-2030年的AI算力供应链中丢失市场份额。美光铜锣扩张的战略逻辑，正是今天买地建厂，卡住2028年以后的供应位置。

美光在台湾的扩张，与台积电的持续扩产、SK海力士在美国建立HBM封装产能（俄亥俄州），共同构成了一幅AI基础设施供应链向台美两极集中的图景。

随着AI芯片需求维持高增长，内存成为与GPU一样关键的瓶颈资源。谁掌握了HBM产能，谁就掌握了AI系统的性能天花板。